Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
3 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
50 V (NPN), -50 V (PNP)
Gehäusegröße
UPAK
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
1.6 W
Minimální proudový zisk DC
300
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
50 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
4
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
1.6 x 4.6 x 2.6mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťové tranzistory NPN
Řada NXP BISS (průlomové malé signální napětí) s nízkým napětím saturace bipolární svorkovnice NPN. Tato zařízení jsou vybavena velmi nízkým saturačním napětím a vysokým odběrem proudu v kompaktních prostorově úsporných balících. Snížení ztrát těchto tranzistorů vede k nižší výrobě tepla a celkovému zvýšení efektivity při použití v přepínacích a digitálních aplikacích.
Bipolar Transistors, Nexperia
€ 3,07
€ 0,307 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 3,07
€ 0,307 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 10 | € 0,307 | € 3,07 |
| 20 - 40 | € 0,234 | € 2,34 |
| 50 - 90 | € 0,203 | € 2,03 |
| 100 - 190 | € 0,145 | € 1,45 |
| 200+ | € 0,137 | € 1,37 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
3 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
50 V (NPN), -50 V (PNP)
Gehäusegröße
UPAK
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
1.6 W
Minimální proudový zisk DC
300
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
50 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
4
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
1.6 x 4.6 x 2.6mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťové tranzistory NPN
Řada NXP BISS (průlomové malé signální napětí) s nízkým napětím saturace bipolární svorkovnice NPN. Tato zařízení jsou vybavena velmi nízkým saturačním napětím a vysokým odběrem proudu v kompaktních prostorově úsporných balících. Snížení ztrát těchto tranzistorů vede k nižší výrobě tepla a celkovému zvýšení efektivity při použití v přepínacích a digitálních aplikacích.


