Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
4 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
80 V
Gehäusegröße
UPAK
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Minimální proudový zisk DC
250
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
150 MHz
Pinanzahl
4
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
1.6 x 4.6 x 2.6mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťové tranzistory NPN
Řada NXP BISS (průlomové malé signální napětí) s nízkým napětím saturace bipolární svorkovnice NPN. Tato zařízení jsou vybavena velmi nízkým saturačním napětím a vysokým odběrem proudu v kompaktních prostorově úsporných balících. Snížení ztrát těchto tranzistorů vede k nižší výrobě tepla a celkovému zvýšení efektivity při použití v přepínacích a digitálních aplikacích.
Bipolar Transistors, Nexperia
€ 54,40
€ 0,544 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
€ 54,40
€ 0,544 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
100 - 240 | € 0,544 | € 5,44 |
250 - 490 | € 0,51 | € 5,10 |
500 - 990 | € 0,473 | € 4,73 |
1000+ | € 0,431 | € 4,31 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
4 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
80 V
Gehäusegröße
UPAK
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Minimální proudový zisk DC
250
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
150 MHz
Pinanzahl
4
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
1.6 x 4.6 x 2.6mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťové tranzistory NPN
Řada NXP BISS (průlomové malé signální napětí) s nízkým napětím saturace bipolární svorkovnice NPN. Tato zařízení jsou vybavena velmi nízkým saturačním napětím a vysokým odběrem proudu v kompaktních prostorově úsporných balících. Snížení ztrát těchto tranzistorů vede k nižší výrobě tepla a celkovému zvýšení efektivity při použití v přepínacích a digitálních aplikacích.