Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-2 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
-40 V
Gehäusegröße
SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
480 mW
Minimální proudový zisk DC
300
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
40 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
200MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
1 x 3 x 1.4mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťové tranzistory PNP
Řada bipolárních svorkovnic NXP BISS (průlom v malém signálu) s nízkým napětím saturace PNP. Tato zařízení jsou vybavena velmi nízkým saturačním napětím a vysokým odběrem proudu v kompaktních prostorově úsporných balících. Snížení ztrát těchto tranzistorů vede k nižší výrobě tepla a celkovému zvýšení efektivity při použití v přepínacích a digitálních aplikacích.
Bipolar Transistors, Nexperia
€ 4,94
€ 0,247 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
20
€ 4,94
€ 0,247 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 20 - 40 | € 0,247 | € 2,47 |
| 50 - 90 | € 0,20 | € 2,00 |
| 100 - 190 | € 0,146 | € 1,46 |
| 200+ | € 0,142 | € 1,42 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-2 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
-40 V
Gehäusegröße
SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
480 mW
Minimální proudový zisk DC
300
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
40 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
200MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
1 x 3 x 1.4mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťové tranzistory PNP
Řada bipolárních svorkovnic NXP BISS (průlom v malém signálu) s nízkým napětím saturace PNP. Tato zařízení jsou vybavena velmi nízkým saturačním napětím a vysokým odběrem proudu v kompaktních prostorově úsporných balících. Snížení ztrát těchto tranzistorů vede k nižší výrobě tepla a celkovému zvýšení efektivity při použití v přepínacích a digitálních aplikacích.


