Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-2 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
-50 V.
Gehäusegröße
SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
1.2 W
Minimální proudový zisk DC
200
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
50 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Počet kolíků
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
1 x 3 x 1.4mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťové tranzistory PNP
Řada bipolárních svorkovnic NXP BISS (průlom v malém signálu) s nízkým napětím saturace PNP. Tato zařízení jsou vybavena velmi nízkým saturačním napětím a vysokým odběrem proudu v kompaktních prostorově úsporných balících. Snížení ztrát těchto tranzistorů vede k nižší výrobě tepla a celkovému zvýšení efektivity při použití v přepínacích a digitálních aplikacích.
Bipolar Transistors, Nexperia
€ 226,72
€ 0,076 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 226,72
€ 0,076 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-2 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
-50 V.
Gehäusegröße
SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
1.2 W
Minimální proudový zisk DC
200
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
50 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Počet kolíků
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
1 x 3 x 1.4mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťové tranzistory PNP
Řada bipolárních svorkovnic NXP BISS (průlom v malém signálu) s nízkým napětím saturace PNP. Tato zařízení jsou vybavena velmi nízkým saturačním napětím a vysokým odběrem proudu v kompaktních prostorově úsporných balících. Snížení ztrát těchto tranzistorů vede k nižší výrobě tepla a celkovému zvýšení efektivity při použití v přepínacích a digitálních aplikacích.