Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-3 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
-50 V.
Gehäusegröße
UPAK
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
1.6 W
Minimální proudový zisk DC
200
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
50 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
4
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
1.6 x 4.6 x 2.6mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťové tranzistory PNP
Řada bipolárních svorkovnic NXP BISS (průlom v malém signálu) s nízkým napětím saturace PNP. Tato zařízení jsou vybavena velmi nízkým saturačním napětím a vysokým odběrem proudu v kompaktních prostorově úsporných balících. Snížení ztrát těchto tranzistorů vede k nižší výrobě tepla a celkovému zvýšení efektivity při použití v přepínacích a digitálních aplikacích.
Bipolar Transistors, Nexperia
€ 2,93
€ 0,293 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 2,93
€ 0,293 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 10 | € 0,293 | € 2,93 |
| 20 - 40 | € 0,263 | € 2,63 |
| 50+ | € 0,243 | € 2,43 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-3 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
-50 V.
Gehäusegröße
UPAK
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
1.6 W
Minimální proudový zisk DC
200
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
50 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
4
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
1.6 x 4.6 x 2.6mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťové tranzistory PNP
Řada bipolárních svorkovnic NXP BISS (průlom v malém signálu) s nízkým napětím saturace PNP. Tato zařízení jsou vybavena velmi nízkým saturačním napětím a vysokým odběrem proudu v kompaktních prostorově úsporných balících. Snížení ztrát těchto tranzistorů vede k nižší výrobě tepla a celkovému zvýšení efektivity při použití v přepínacích a digitálních aplikacích.


