Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-5 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
-40 V
Gehäusegröße
SOT-223 (SC-73)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
2 W
Minimální proudový zisk DC
250
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
40 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
120 MHz
Pinanzahl
4
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Abmessungen
1.7 x 6.7 x 3.7mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťové tranzistory PNP
Řada bipolárních svorkovnic NXP BISS (průlom v malém signálu) s nízkým napětím saturace PNP. Tato zařízení jsou vybavena velmi nízkým saturačním napětím a vysokým odběrem proudu v kompaktních prostorově úsporných balících. Snížení ztrát těchto tranzistorů vede k nižší výrobě tepla a celkovému zvýšení efektivity při použití v přepínacích a digitálních aplikacích.
Bipolar Transistors, Nexperia
€ 8,06
€ 0,403 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
20
€ 8,06
€ 0,403 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 20 - 40 | € 0,403 | € 4,03 |
| 50+ | € 0,358 | € 3,58 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-5 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
-40 V
Gehäusegröße
SOT-223 (SC-73)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
2 W
Minimální proudový zisk DC
250
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
40 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
120 MHz
Pinanzahl
4
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Abmessungen
1.7 x 6.7 x 3.7mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťové tranzistory PNP
Řada bipolárních svorkovnic NXP BISS (průlom v malém signálu) s nízkým napětím saturace PNP. Tato zařízení jsou vybavena velmi nízkým saturačním napětím a vysokým odběrem proudu v kompaktních prostorově úsporných balících. Snížení ztrát těchto tranzistorů vede k nižší výrobě tepla a celkovému zvýšení efektivity při použití v přepínacích a digitálních aplikacích.


