Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
1 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V
Gehäusegröße
SOT-89
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
2 W
Minimální proudový zisk DC
150
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
120 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Počet kolíků
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Abmessungen
4.6 x 2.6 x 1.6mm
Krajina pôvodu
Hong Kong
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťové tranzistory NPN
Řada NXP BISS (průlomové malé signální napětí) s nízkým napětím saturace bipolární svorkovnice NPN. Tato zařízení jsou vybavena velmi nízkým saturačním napětím a vysokým odběrem proudu v kompaktních prostorově úsporných balících. Snížení ztrát těchto tranzistorů vede k nižší výrobě tepla a celkovému zvýšení efektivity při použití v přepínacích a digitálních aplikacích.
Bipolar Transistors, Nexperia
€ 10,63
€ 0,425 Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
Štandardný
25
€ 10,63
€ 0,425 Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
Štandardný
25
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
25 - 225 | € 0,425 | € 10,62 |
250 - 600 | € 0,227 | € 5,68 |
625 - 2475 | € 0,217 | € 5,42 |
2500+ | € 0,183 | € 4,56 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
1 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V
Gehäusegröße
SOT-89
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
2 W
Minimální proudový zisk DC
150
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
120 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Počet kolíků
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Abmessungen
4.6 x 2.6 x 1.6mm
Krajina pôvodu
Hong Kong
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťové tranzistory NPN
Řada NXP BISS (průlomové malé signální napětí) s nízkým napětím saturace bipolární svorkovnice NPN. Tato zařízení jsou vybavena velmi nízkým saturačním napětím a vysokým odběrem proudu v kompaktních prostorově úsporných balících. Snížení ztrát těchto tranzistorů vede k nižší výrobě tepla a celkovému zvýšení efektivity při použití v přepínacích a digitálních aplikacích.