Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
67 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
LFPAK, SOT-669
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
8 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
62.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
14 nC při 5 V
Breite
4.1mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
MOSFET s kanálem N-Channel, až 30 V.
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 5,25
€ 1,05 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 5,25
€ 1,05 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
67 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
LFPAK, SOT-669
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
8 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
62.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
14 nC při 5 V
Breite
4.1mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku


