MOSFET PMF370XN,115 N-kanálový 870 mA 30 V, SOT-323, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
870 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-323
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
440 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.5V
Maximální ztrátový výkon
560 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
2.2mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,65 nC při 4,5 V
Breite
1.35mm
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
MOSFET s kanálem N-Channel, až 30 V.
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
P.O.A.
Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Štandardný
20
P.O.A.
Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
870 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-323
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
440 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.5V
Maximální ztrátový výkon
560 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
2.2mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,65 nC při 4,5 V
Breite
1.35mm
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
MOSFET s kanálem N-Channel, až 30 V.
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products