Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
680 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-883B
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
850 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.5V
Maximální ztrátový výkon
2.7 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
1.05mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,76 nC při 4,5 V
Breite
0.65mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Höhe
0.36mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
P.O.A.
Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Štandardný
25
P.O.A.
Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
25
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
680 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-883B
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
850 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.5V
Maximální ztrátový výkon
2.7 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
1.05mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,76 nC při 4,5 V
Breite
0.65mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Höhe
0.36mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku


