MOSFET PMZB670UPE,315 P-kanálový 680 mA 20 V, SOT-883B, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 798-2817Značka: NexperiaČíslo dielu výrobcu: PMZB670UPE,315
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

680 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Gehäusegröße

SOT-883B

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

850 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1.3V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.5V

Maximální ztrátový výkon

2.7 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-8 V, +8 V

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Länge

1.05mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

0,76 nC při 4,5 V

Breite

0.65mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Höhe

0.36mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

P.O.A.

Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)

MOSFET PMZB670UPE,315 P-kanálový 680 mA 20 V, SOT-883B, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

P.O.A.

Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)

MOSFET PMZB670UPE,315 P-kanálový 680 mA 20 V, SOT-883B, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

680 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Gehäusegröße

SOT-883B

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

850 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1.3V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.5V

Maximální ztrátový výkon

2.7 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-8 V, +8 V

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Länge

1.05mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

0,76 nC při 4,5 V

Breite

0.65mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Höhe

0.36mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more