Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
24 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
80 V
Gehäusegröße
LFPAK, SOT-669
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
72 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
56 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.1mm
Materiál tranzistoru
Si
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
12,5 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
MOSFET s kanálem N-Channel, 60 V až 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
10
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
24 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
80 V
Gehäusegröße
LFPAK, SOT-669
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
72 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
56 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.1mm
Materiál tranzistoru
Si
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
12,5 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku


