MOSFET PSMN045-80YS,115 N-kanálový 24 A 80 V, LFPAK, SOT-669, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 798-2889PZnačka: NexperiaČíslo dielu výrobcu: PSMN045-80YS,115
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

24 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

80 V

Gehäusegröße

LFPAK, SOT-669

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

4

Maximální odpor kolektor/zdroj

72 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

56 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

4.1mm

Materiál tranzistoru

Si

Länge

5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

12,5 nC při 10 V

Počet prvků na čip

1

Maximální pracovní teplota

175 °C

Höhe

1.1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

MOSFET s kanálem N-Channel, 60 V až 80 V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET PSMN045-80YS,115 N-kanálový 24 A 80 V, LFPAK, SOT-669, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET PSMN045-80YS,115 N-kanálový 24 A 80 V, LFPAK, SOT-669, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

24 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

80 V

Gehäusegröße

LFPAK, SOT-669

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

4

Maximální odpor kolektor/zdroj

72 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

56 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

4.1mm

Materiál tranzistoru

Si

Länge

5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

12,5 nC při 10 V

Počet prvků na čip

1

Maximální pracovní teplota

175 °C

Höhe

1.1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

MOSFET s kanálem N-Channel, 60 V až 80 V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more