Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
LFPAK, SOT-669
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
4.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
117 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
5mm
Breite
4.1mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
49 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 40 V až 55 V.
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
LFPAK, SOT-669
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
4.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
117 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
5mm
Breite
4.1mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
49 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku


