Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
4.1 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.15V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.3V
Maximální ztrátový výkon
114 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
10.3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
64 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Breite
4.7mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
16mm
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
MOSFET s kanálem N-Channel, až 30 V.
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
4.1 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.15V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.3V
Maximální ztrátový výkon
114 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
10.3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
64 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Breite
4.7mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
16mm
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku


