Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NXPMontage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
DO-35
Maximální stejnosměrný propustný proud
200mA
Špičkové závěrné napětí opakovaně
100V
Diodová konfigurace
Single
Typ usměrňovače
Switching
Typ diody
Silicon Junction
Pinanzahl
2
Maximální pokles propustného napětí
1V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Doba obnovení špičkové závěrné hodnoty
4ns
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
4A
Krajina pôvodu
China
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
100
P.O.A.
100
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NXPMontage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
DO-35
Maximální stejnosměrný propustný proud
200mA
Špičkové závěrné napětí opakovaně
100V
Diodová konfigurace
Single
Typ usměrňovače
Switching
Typ diody
Silicon Junction
Pinanzahl
2
Maximální pokles propustného napětí
1V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Doba obnovení špičkové závěrné hodnoty
4ns
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
4A
Krajina pôvodu
China