Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NXPTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
12 to 25mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+25 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
25V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23 (TO-236AB)
Pinanzahl
3
Abmessungen
3 x 1.4 x 1mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Höhe
1mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3mm
Breite
1.4mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
JFET, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,319
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 0,319
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,319 | € 3,19 |
100 - 240 | € 0,252 | € 2,52 |
250 - 990 | € 0,222 | € 2,22 |
1000+ | € 0,179 | € 1,79 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NXPTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
12 to 25mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+25 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
25V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23 (TO-236AB)
Pinanzahl
3
Abmessungen
3 x 1.4 x 1mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Höhe
1mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3mm
Breite
1.4mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
JFET, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.