Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NXPTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
35 mA
Kollektor-Emitter-
12 V
Gehäusegröße
SOT-143B
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
15 V
Maximální bázové napětí emitoru
2 V
Maximální provozní frekvence
6000 MHz
Pinanzahl
4
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
1 x 3 x 1.4mm
Maximální pracovní teplota
175 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Bipolární vysokofrekvenční tranzistory NXP
Bipolar Transistors, NXP
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NXPTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
35 mA
Kollektor-Emitter-
12 V
Gehäusegröße
SOT-143B
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
15 V
Maximální bázové napětí emitoru
2 V
Maximální provozní frekvence
6000 MHz
Pinanzahl
4
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
1 x 3 x 1.4mm
Maximální pracovní teplota
175 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku