Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NXPTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
23 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
72 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
98 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-15 V, +15 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.3mm
Breite
4.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
9.4mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, 100 V a vyšší, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NXPTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
23 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
72 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
98 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-15 V, +15 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.3mm
Breite
4.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
9.4mm
Podrobnosti o výrobku