JFET PMBFJ308,215 N-kanálový 25 V, SOT-23 (TO-236AB), počet kolíků: 3 Jednoduchý

Name: JFET PMBFJ308,215 N-kanálový 25 V, SOT-23 (TO-236AB), počet kolíků: 3 Jednoduchý
Brand: NXP
SKU: 6263308
Availability: LimitedAvailability

Skladové číslo RS: 626-3308Značka: NXPČíslo dielu výrobcu: PMBFJ308,215

View all in JFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

NXP

Typ kanálu

Zbytkový proud drain-source Idss

12 to 60mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

25 V

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-25 V

Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda

-25V

Konfigurace tranzistoru

Single

Konfiguration

Single

Maximální odpor kolektor/zdroj

50 Ω

Montage-Typ

Surface Mount

Gehäusegröße

SOT-23 (TO-236AB)

Pinanzahl

Abmessungen

3 x 1.4 x 1mm

Betriebstemperatur min.

-65 °C

Höhe

1mm

Maximální pracovní teplota

150 °C

Länge

3mm

Breite

1.4mm

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

JFET, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 0,11

Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

JFET PMBFJ308,215 N-kanálový 25 V, SOT-23 (TO-236AB), počet kolíků: 3 Jednoduchý

Vyberte typ balenia

€ 0,11

Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

JFET PMBFJ308,215 N-kanálový 25 V, SOT-23 (TO-236AB), počet kolíků: 3 Jednoduchý

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Kúpiť hromadne

množstvo	Jednotková cena	Balík
10 - 40	€ 0,11	€ 1,10
50 - 90	€ 0,10	€ 1,00
100 - 240	€ 0,09	€ 0,90
250 - 490	€ 0,09	€ 0,90
500+	€ 0,08	€ 0,80

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
View and contribute website content and forums
Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products

Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

NXP

Typ kanálu

Zbytkový proud drain-source Idss

12 to 60mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

25 V

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-25 V

Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda

-25V

Konfigurace tranzistoru

Single

Konfiguration

Single

Maximální odpor kolektor/zdroj

50 Ω

Montage-Typ

Surface Mount

Gehäusegröße

SOT-23 (TO-236AB)

Pinanzahl

Abmessungen

3 x 1.4 x 1mm

Betriebstemperatur min.

-65 °C

Höhe

1mm

Maximální pracovní teplota

150 °C

Länge

3mm

Breite

1.4mm

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

JFET, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.