Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NXPTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
50 mA
Kollektor-Emitter-
10 V
Gehäusegröße
UMT
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
250 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
20 V
Maximální bázové napětí emitoru
1.5 V
Maximální provozní frekvence
8500 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
1 x 2.2 x 1.35mm
Maximální pracovní teplota
175 °C
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Bipolární vysokofrekvenční tranzistory NXP
Bipolar Transistors, NXP
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
12000
P.O.A.
12000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NXPTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
50 mA
Kollektor-Emitter-
10 V
Gehäusegröße
UMT
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
250 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
20 V
Maximální bázové napětí emitoru
1.5 V
Maximální provozní frekvence
8500 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
1 x 2.2 x 1.35mm
Maximální pracovní teplota
175 °C
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku