Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
200 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
40 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
625 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-40 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Maximální provozní frekvence
250 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Abmessungen
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory PNP s malým signálem, 40 až 50 V Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
200
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
200
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
200 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
40 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
625 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-40 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Maximální provozní frekvence
250 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Abmessungen
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory PNP s malým signálem, 40 až 50 V Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.


