Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
300 mA
Kollektor-Emitter-
30 V
Gehäusegröße
PCP
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
1.3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
40 V
Maximální bázové napětí emitoru
2 V
Maximální provozní frekvence
3.5 GHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
4.5 x 2.5 x 1.5mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
300 mA
Kollektor-Emitter-
30 V
Gehäusegröße
PCP
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
1.3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
40 V
Maximální bázové napětí emitoru
2 V
Maximální provozní frekvence
3.5 GHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
4.5 x 2.5 x 1.5mm
Maximální pracovní teplota
150 °C