JFET 2SK3666-3-TB-E N-kanálový 30 V, CP, počet kolíků: 3 Jednoduchý

Name: JFET 2SK3666-3-TB-E N-kanálový 30 V, CP, počet kolíků: 3 Jednoduchý
Brand: ON Semiconductor
SKU: 7925161

Skladové číslo RS: 792-5161Značka: ON SemiconductorČíslo dielu výrobcu: 2SK3666-3-TB-E

View all in JFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

ON Semiconductor

Typ kanálu

Zbytkový proud drain-source Idss

1.2 to 3mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda

-30V

Konfigurace tranzistoru

Single

Konfiguration

Single

Maximální odpor kolektor/zdroj

200 Ω

Montage-Typ

Surface Mount

Gehäusegröße

Pinanzahl

Kapacitance kolektor/řídicí dioda

4pF

Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu

1.1pF

Abmessungen

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

2.9mm

Höhe

1.1mm

Breite

1.5mm

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový JFET, on Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

JFET 2SK3666-3-TB-E N-kanálový 30 V, CP, počet kolíků: 3 Jednoduchý

Vyberte typ balenia

P.O.A.

JFET 2SK3666-3-TB-E N-kanálový 30 V, CP, počet kolíků: 3 Jednoduchý

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
View and contribute website content and forums
Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products

Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

ON Semiconductor

Typ kanálu

Zbytkový proud drain-source Idss

1.2 to 3mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda

-30V

Konfigurace tranzistoru

Single

Konfiguration

Single

Maximální odpor kolektor/zdroj

200 Ω

Montage-Typ

Surface Mount

Gehäusegröße

Pinanzahl

Kapacitance kolektor/řídicí dioda

4pF

Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu

1.1pF

Abmessungen

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

2.9mm

Höhe

1.1mm

Breite

1.5mm

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový JFET, on Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.