Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
150 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
CP
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
12.8 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.3V
Maximální ztrátový výkon
250 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Breite
1.5mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,58 nC při 10 V
Höhe
1.1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 30 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
150 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
CP
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
12.8 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.3V
Maximální ztrátový výkon
250 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Breite
1.5mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,58 nC při 10 V
Höhe
1.1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku