MOSFET 3LN01C-TB-E N-kanálový 150 mA 30 V, CP, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 145-4774Značka: ON SemiconductorČíslo dielu výrobcu: 3LN01C-TB-E
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

150 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

CP

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

12.8 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1.3V

Maximální ztrátový výkon

250 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-10 V, +10 V

Breite

1.5mm

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

2.9mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

1,58 nC při 10 V

Höhe

1.1mm

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkonový MOSFET, 30 V, on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

MOSFET 3LN01C-TB-E N-kanálový 150 mA 30 V, CP, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

P.O.A.

MOSFET 3LN01C-TB-E N-kanálový 150 mA 30 V, CP, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

150 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

CP

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

12.8 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1.3V

Maximální ztrátový výkon

250 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-10 V, +10 V

Breite

1.5mm

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

2.9mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

1,58 nC při 10 V

Höhe

1.1mm

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkonový MOSFET, 30 V, on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more