Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
800 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
45 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
625 mW
Maximální bázové napětí kolektoru
50 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
210 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Abmessungen
5.33 x 5.2 x 4.19mm
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
800 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
45 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
625 mW
Maximální bázové napětí kolektoru
50 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
210 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Abmessungen
5.33 x 5.2 x 4.19mm