Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
100 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
30 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
625 mW
Maximální bázové napětí kolektoru
30 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
300 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
5.33 x 5.2 x 4.19mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
100 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
30 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
625 mW
Maximální bázové napětí kolektoru
30 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
300 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
5.33 x 5.2 x 4.19mm
Betriebstemperatur max.
150 °C