Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
800 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
50 V (NPN), -50 V (PNP)
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
310 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 0.96mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory PNP s malým signálem, 40 až 50 V Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
P.O.A.
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
10
P.O.A.
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
800 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
50 V (NPN), -50 V (PNP)
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
310 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 0.96mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory PNP s malým signálem, 40 až 50 V Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.


