Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
6 → 13mA
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
30V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Montage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
TO-92
Pinanzahl
3
Abmessungen
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
4.58mm
Höhe
4.58mm
Breite
3.86mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
6 → 13mA
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
30V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Montage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
TO-92
Pinanzahl
3
Abmessungen
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
4.58mm
Höhe
4.58mm
Breite
3.86mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.