Darlingtonovo zapojení BSP50 NPN 800 mA 45 V HFE:1000, SOT-223, počet kolíků: 3 + Tab Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp tranzistoru
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
800 mA
Kollektor-Emitter-
45 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3 + Tab
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
1.9 V
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1.3 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
50nA
Höhe
1.6mm
Breite
3.5mm
Maximální ztrátový výkon
1 W
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Abmessungen
6.5 x 3.5 x 1.6mm
Länge
6.5mm
PRICED TO CLEAR
Yes
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Darlington NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
4000
P.O.A.
4000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp tranzistoru
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
800 mA
Kollektor-Emitter-
45 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3 + Tab
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
1.9 V
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1.3 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
50nA
Höhe
1.6mm
Breite
3.5mm
Maximální ztrátový výkon
1 W
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Abmessungen
6.5 x 3.5 x 1.6mm
Länge
6.5mm
PRICED TO CLEAR
Yes
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Darlington NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products