Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
CPH
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
65 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.6V
Maximální ztrátový výkon
1.6 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
20 nC při 10 V
Breite
1.6mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Höhe
0.9mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
CPH
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
65 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.6V
Maximální ztrátový výkon
1.6 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
20 nC při 10 V
Breite
1.6mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Höhe
0.9mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku