Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
7.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
ECH
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
48 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.3V
Maximální ztrátový výkon
1.3 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10,8 nC při 4,5 V
Breite
2.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
0.9mm
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
15
P.O.A.
15
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
7.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
ECH
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
48 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.3V
Maximální ztrátový výkon
1.3 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10,8 nC při 4,5 V
Breite
2.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
0.9mm