Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
ECH
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
82 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.6V
Maximální ztrátový výkon
1.5 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
2.3mm
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
13 nC při 10 V
Höhe
0.9mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Duální, S-kanálem P MOSFET, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
ECH
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
82 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.6V
Maximální ztrátový výkon
1.5 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
2.3mm
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
13 nC při 10 V
Höhe
0.9mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku