Dual N-Channel MOSFET, 65 A, 650 V, 3-Pin TO-247 onsemi FCH040N65S3_F155
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
65 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Řada
SuperFET III
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
40 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
417 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±30 V ac/dc
Breite
5.3mm
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
16.26mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
136 nC při 10 V
Höhe
21.08mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 100 V až 700 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
65 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Řada
SuperFET III
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
40 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
417 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±30 V ac/dc
Breite
5.3mm
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
16.26mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
136 nC při 10 V
Höhe
21.08mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 100 V až 700 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products