řada: SupreMOSMOSFET FCP16N60N N-kanálový 16 A 600 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
16 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
199 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
134.4 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
4.83mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
40,2 nC při 10 V
Höhe
9.4mm
Řada
SupreMOS
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Suplements® MOSFET Fairchild Semiconductor
Fairchild přináší novou generaci supersvorkovnice tranzistorů MOSFET 600 V - supres®.
Kombinace nízké úrovně RDS(on) a celkového nabití brány přináší o 40 procent nižší obrázek Merit (FOM) ve srovnání s 600V SuperFET™ MOSFET FET Fairchild. Kromě toho nabízí supletní rodina nízké hradlové nabíjení pro stejný RDS(on), které zajišťuje vynikající přepínací výkon a poskytuje o 20 procent méně ztrát při přepínání a vedení, což vede k vyšší účinnosti.
Tyto funkce umožňují, aby napájecí zdroje splňovaly klasifikaci ENERGY STAR® 80 PLUS Gold pro stolní počítače a platinovou klasifikaci pro servery.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
16 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
199 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
134.4 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
4.83mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
40,2 nC při 10 V
Höhe
9.4mm
Řada
SupreMOS
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Suplements® MOSFET Fairchild Semiconductor
Fairchild přináší novou generaci supersvorkovnice tranzistorů MOSFET 600 V - supres®.
Kombinace nízké úrovně RDS(on) a celkového nabití brány přináší o 40 procent nižší obrázek Merit (FOM) ve srovnání s 600V SuperFET™ MOSFET FET Fairchild. Kromě toho nabízí supletní rodina nízké hradlové nabíjení pro stejný RDS(on), které zajišťuje vynikající přepínací výkon a poskytuje o 20 procent méně ztrát při přepínání a vedení, což vede k vyšší účinnosti.
Tyto funkce umožňují, aby napájecí zdroje splňovaly klasifikaci ENERGY STAR® 80 PLUS Gold pro stolní počítače a platinovou klasifikaci pro servery.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products