řada: SuperFET IIIMOSFET FCPF165N65S3 N-kanálový 19 A 650 V, TO220F, počet kolíků: 3 dvojitý Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
19 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Gehäusegröße
TO220F
Řada
SuperFET III
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
165 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
35 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±30 V ac/dc
Breite
4.6mm
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
35 nC při 10 V
Höhe
15.7mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 100 V až 700 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
19 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Gehäusegröße
TO220F
Řada
SuperFET III
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
165 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
35 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±30 V ac/dc
Breite
4.6mm
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
35 nC při 10 V
Höhe
15.7mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 100 V až 700 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products