Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
19 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Gehäusegröße
TO220F
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
165 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
35 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±30 V ac/dc
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
35 nC při 10 V
Breite
4.6mm
Höhe
15.7mm
Řada
SuperFET III
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 100 V až 700 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
19 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Gehäusegröße
TO220F
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
165 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
35 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±30 V ac/dc
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
35 nC při 10 V
Breite
4.6mm
Höhe
15.7mm
Řada
SuperFET III
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku