Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
17 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Gehäusegröße
TO-220F
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
190 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
33 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±30 V
Breite
4.6mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
33 nC při 10 V
Höhe
15.7mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Krajina pôvodu
China
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
17 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Gehäusegröße
TO-220F
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
190 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
33 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±30 V
Breite
4.6mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
33 nC při 10 V
Höhe
15.7mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Krajina pôvodu
China