DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

MOSFET FCU850N80Z N-kanálový 6 A 800 V, IPAK, počet kolíků: 3 Jednoduchý

Skladové číslo RS: 172-3430Značka: ON SemiconductorČíslo dielu výrobcu: FCU850N80Z
brand-logo
View all in MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

ON Semiconductor

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

6 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

800 V

Gehäusegröße

IPAK

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

850 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Maximální ztrátový výkon

75 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

±20 V dc, ±30 V ac

Breite

2.5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

6.8mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

22 nC při 10 V

Höhe

7.57mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Krajina pôvodu

China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

MOSFET FCU850N80Z N-kanálový 6 A 800 V, IPAK, počet kolíků: 3 Jednoduchý

1800

Dostupné v násobkoch 1800
1800P.O.A.
3600P.O.A.
5400P.O.A.
7200P.O.A.
9000P.O.A.
10800P.O.A.
12600P.O.A.
14400P.O.A.
16200P.O.A.
18000P.O.A.
19800P.O.A.
21600P.O.A.
23400P.O.A.
25200P.O.A.
27000P.O.A.

P.O.A.

MOSFET FCU850N80Z N-kanálový 6 A 800 V, IPAK, počet kolíků: 3 Jednoduchý
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

1800

Dostupné v násobkoch 1800
1800P.O.A.
3600P.O.A.
5400P.O.A.
7200P.O.A.
9000P.O.A.
10800P.O.A.
12600P.O.A.
14400P.O.A.
16200P.O.A.
18000P.O.A.
19800P.O.A.
21600P.O.A.
23400P.O.A.
25200P.O.A.
27000P.O.A.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

ON Semiconductor

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

6 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

800 V

Gehäusegröße

IPAK

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

850 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Maximální ztrátový výkon

75 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

±20 V dc, ±30 V ac

Breite

2.5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

6.8mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

22 nC při 10 V

Höhe

7.57mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Krajina pôvodu

China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more