Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
211 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
PQFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.09 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
74 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±16 V
Breite
5.85mm
Počet prvků na čip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
102 nC při 10 V
Höhe
1.05mm
Řada
PowerTrench
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.3V
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 30 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
211 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
PQFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.09 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
74 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±16 V
Breite
5.85mm
Počet prvků na čip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
102 nC při 10 V
Höhe
1.05mm
Řada
PowerTrench
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.3V
Podrobnosti o výrobku