řada: PowerTrenchMOSFET FDMS86180 N-kanálový 151 A 100 V, PQFN, počet kolíků: 8 dvojitý Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
151 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
PQFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
3.2 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
138 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
60 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Breite
6mm
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.3V
Höhe
1.05mm
Řada
PowerTrench
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 100 V až 700 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
151 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
PQFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
3.2 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
138 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
60 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Breite
6mm
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.3V
Höhe
1.05mm
Řada
PowerTrench
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 100 V až 700 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products