Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
500 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
9 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.06V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.7V
Maximální ztrátový výkon
350 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+8 V
Breite
1.3mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
2.92mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,49 nC při 4,5 V
Höhe
0.93mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
Rozšiřující režim MOSFET N-Channel, Fairchild Semiconductor
Zdokonalené režimy tranzistory FET (Field Effect Transistory) jsou vyráběny s využitím patentované technologie Fairchild s vysokou hustotou buněk DMOS. Tento proces s vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
Štandardný
150
P.O.A.
Štandardný
150
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
500 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
9 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.06V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.7V
Maximální ztrátový výkon
350 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+8 V
Breite
1.3mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
2.92mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,49 nC při 4,5 V
Höhe
0.93mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
Rozšiřující režim MOSFET N-Channel, Fairchild Semiconductor
Zdokonalené režimy tranzistory FET (Field Effect Transistory) jsou vyráběny s využitím patentované technologie Fairchild s vysokou hustotou buněk DMOS. Tento proces s vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.