IGBT FGA50N100BNTDTU N-kanálový 50 A 1000 V, TO-3P, počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý

Skladové číslo RS: 807-0751PZnačka: ON SemiconductorČíslo dielu výrobcu: FGA50N100BNTDTU
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii IGBT

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

ON Semiconductor

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

50 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1000 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±25V

Maximální ztrátový výkon

63 W

Gehäusegröße

TO-3PN

Montage-Typ

Through Hole

Typ kanálu

N

Pinanzahl

3

Rychlost spínání

1MHz

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

15.8 x 5 x 20.1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Podrobnosti o výrobku

Diskrétní Fairchild Semiconductor, 1000 V a více

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)

IGBT FGA50N100BNTDTU N-kanálový 50 A 1000 V, TO-3P, počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý
Vyberte typ balenia

Výrobné balenie (Tuba)

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 2.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 2.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

2

Dostupné v násobkoch 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)

IGBT FGA50N100BNTDTU N-kanálový 50 A 1000 V, TO-3P, počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Výrobné balenie (Tuba)

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 2.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 2.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

2

Dostupné v násobkoch 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

ON Semiconductor

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

50 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1000 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±25V

Maximální ztrátový výkon

63 W

Gehäusegröße

TO-3PN

Montage-Typ

Through Hole

Typ kanálu

N

Pinanzahl

3

Rychlost spínání

1MHz

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

15.8 x 5 x 20.1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Podrobnosti o výrobku

Diskrétní Fairchild Semiconductor, 1000 V a více

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more