Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorDauer-Kollektorstrom max.
70 A
Kollektor-Emitter-
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±25V
Maximální ztrátový výkon
368 W
Gehäusegröße
TO-264
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Počet kolíků
3
Rychlost spínání
1MHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
20.2 x 5.2 x 26.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Diskrétní Fairchild Semiconductor, 1000 V a více
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorDauer-Kollektorstrom max.
70 A
Kollektor-Emitter-
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±25V
Maximální ztrátový výkon
368 W
Gehäusegröße
TO-264
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Počet kolíků
3
Rychlost spínání
1MHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
20.2 x 5.2 x 26.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Diskrétní Fairchild Semiconductor, 1000 V a více
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.