Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
P
Zbytkový proud drain-source Idss
-2 → -25mA
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+30 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-30V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
300 Ω
Montage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
TO-92
Pinanzahl
3
Abmessungen
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Höhe
5.33mm
Breite
4.19mm
Maximální ztrátový výkon
350 mW
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5.2mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
P-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
2000
P.O.A.
2000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
P
Zbytkový proud drain-source Idss
-2 → -25mA
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+30 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-30V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
300 Ω
Montage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
TO-92
Pinanzahl
3
Abmessungen
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Höhe
5.33mm
Breite
4.19mm
Maximální ztrátový výkon
350 mW
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5.2mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
P-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.