Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp tranzistoru
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
-8 A
Kollektor-Emitter-
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
100
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
-4.5 V
Maximální bázové napětí kolektoru
-100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
-2 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
-10µA
Höhe
2.3mm
Breite
6.8mm
Maximální ztrátový výkon
20 W
Abmessungen
6.6 x 6.8 x 2.3mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.6mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Darlington PNP, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
2000
P.O.A.
2000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp tranzistoru
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
-8 A
Kollektor-Emitter-
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
100
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
-4.5 V
Maximální bázové napětí kolektoru
-100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
-2 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
-10µA
Höhe
2.3mm
Breite
6.8mm
Maximální ztrátový výkon
20 W
Abmessungen
6.6 x 6.8 x 2.3mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.6mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Darlington PNP, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.