Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
0,5 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
50 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
16
Konfigurace tranzistoru
Common Emitter
Počet prvků na čip
7
Minimální proudový zisk DC
1000
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1.6 V
Betriebstemperatur min.
-20 °C
Höhe
1.5mm
Abmessungen
10 x 4 x 1.5mm
Betriebstemperatur max.
85 °C
Länge
10mm
Breite
4mm
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
Štandardný
1
P.O.A.
Štandardný
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
0,5 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
50 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
16
Konfigurace tranzistoru
Common Emitter
Počet prvků na čip
7
Minimální proudový zisk DC
1000
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1.6 V
Betriebstemperatur min.
-20 °C
Höhe
1.5mm
Abmessungen
10 x 4 x 1.5mm
Betriebstemperatur max.
85 °C
Länge
10mm
Breite
4mm
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.