Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp tranzistoru
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
0,5 A
Kollektor-Emitter-
2 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
PDIP, PDIP
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
16
Konfigurace tranzistoru
Common Emitter
Anzahl der Elemente pro Chip
7
Minimální proudový zisk DC
1000
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1.6 V
Höhe
3.43mm
Breite
6.85mm
Abmessungen
19.55 x 6.85 x 3.43mm
Betriebstemperatur min.
-20 °C
Maximální pracovní teplota
85 °C
Länge
19.55mm
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp tranzistoru
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
0,5 A
Kollektor-Emitter-
2 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
PDIP, PDIP
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
16
Konfigurace tranzistoru
Common Emitter
Anzahl der Elemente pro Chip
7
Minimální proudový zisk DC
1000
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1.6 V
Höhe
3.43mm
Breite
6.85mm
Abmessungen
19.55 x 6.85 x 3.43mm
Betriebstemperatur min.
-20 °C
Maximální pracovní teplota
85 °C
Länge
19.55mm
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.