Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorMontage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Stromversorgungs-Typ
Dvojité, jednoduché
Počet kanálů na čip
2
Pinanzahl
8
Typické jednoduché napájecí napětí
5 → 28 V
Typická hodnota GBWP
1.8MHz
Typické duální napájecí napětí
±12 V, ±15 V, ±18 V, ±3 V, ±5 V, ±9 V
Typická sledovací rychlost
2.1V/µs
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Maximální pracovní teplota
85 °C
Rail-to-Rail
No
Spannungsverstärkung typ.
114 dB
Typická hustota šumu vstupního napětí
32nV/√Hz
Höhe
1.5mm
Abmessungen
5 x 4 x 1.5mm
Länge
5mm
Breite
4mm
Podrobnosti o výrobku
MC33171/2/4, MCV33172, Nízké napájení, jeden napájecí zdroj 3 V až 44 V, operační zesilovač, on Semiconductor
MC33171 (jednoduchý), MC33172 (duální), MC33174 (Quad)
Nízký napájecí proud: 180 μA na zesilovač
Šířka pásma: 1,8 MHz
Vysoká rychlost smrštění: 2,1 V/μs
Nízké vstupní napětí odchylky: 2 mV
NCV33172 pro automobilové aplikace; AEC-Q100 Kvalifikováno
Operational Amplifiers, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorMontage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Stromversorgungs-Typ
Dvojité, jednoduché
Počet kanálů na čip
2
Pinanzahl
8
Typické jednoduché napájecí napětí
5 → 28 V
Typická hodnota GBWP
1.8MHz
Typické duální napájecí napětí
±12 V, ±15 V, ±18 V, ±3 V, ±5 V, ±9 V
Typická sledovací rychlost
2.1V/µs
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Maximální pracovní teplota
85 °C
Rail-to-Rail
No
Spannungsverstärkung typ.
114 dB
Typická hustota šumu vstupního napětí
32nV/√Hz
Höhe
1.5mm
Abmessungen
5 x 4 x 1.5mm
Länge
5mm
Breite
4mm
Podrobnosti o výrobku
MC33171/2/4, MCV33172, Nízké napájení, jeden napájecí zdroj 3 V až 44 V, operační zesilovač, on Semiconductor
MC33171 (jednoduchý), MC33172 (duální), MC33174 (Quad)
Nízký napájecí proud: 180 μA na zesilovač
Šířka pásma: 1,8 MHz
Vysoká rychlost smrštění: 2,1 V/μs
Nízké vstupní napětí odchylky: 2 mV
NCV33172 pro automobilové aplikace; AEC-Q100 Kvalifikováno