Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
8 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
100
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
4.5 V
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
4 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.01mA
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Höhe
2.38mm
Abmessungen
6.73 x 6.22 x 2.38mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.73mm
Breite
6.22mm
Podrobnosti o výrobku
PnP Darlington Transistory, on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
Výrobné balenie (Tuba)
20
P.O.A.
Výrobné balenie (Tuba)
20
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
8 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
100
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
4.5 V
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
4 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.01mA
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Höhe
2.38mm
Abmessungen
6.73 x 6.22 x 2.38mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.73mm
Breite
6.22mm
Podrobnosti o výrobku
PnP Darlington Transistory, on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.