Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
4 to 16mA
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
25V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
3pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
7pF
Abmessungen
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Höhe
0.93mm
Breite
1.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.92mm
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
4 to 16mA
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
25V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
3pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
7pF
Abmessungen
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Höhe
0.93mm
Breite
1.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.92mm
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.