Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
P
Zbytkový proud drain-source Idss
-4 → -16mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
15 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+40 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-40V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Počet kolíků
3
Abmessungen
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.92mm
Höhe
0.93mm
Breite
1.3mm
Podrobnosti o výrobku
P-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
Výrobné balenie (Cievka)
50
P.O.A.
Výrobné balenie (Cievka)
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
P
Zbytkový proud drain-source Idss
-4 → -16mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
15 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+40 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-40V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Počet kolíků
3
Abmessungen
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.92mm
Höhe
0.93mm
Breite
1.3mm
Podrobnosti o výrobku
P-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.